К сожалению, этот товар недоступен. Просмотри товары от других продавцов

SKM400GB125D Биполярный IGBT транзистор, 1200В, 400А - фото 1 - id-p94372952

Характеристики и описание

Основные
- Производитель
  Semikron
Пользовательские характеристики
- Габариты
  106.4x61.4x30.5 мм
- Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В
  1200 В
- Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs), В
  20 В
- Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А
  400 В
- Рабочая температура, °C
  от -40°C до +150°C
- Режим работы
  инвертор, преобразователь частоты
- Тип корпуса
  SEMITRANS3
- Тип подключения
  винтами, коннекторы FASTON
- Тип продукции
  IGBT транзистор

Серия модулей SEMITOP® IGBT от Semikron, включающих два последовательно соединенных (полумостовых) устройства IGBT. Модули доступны с широким диапазоном номинальных значений напряжения и тока и подходят для различных приложений переключения мощности, таких как инверторные двигатели переменного тока и источники бесперебойного питания.

IGBT транзистор - это довольно хитроумный прибор, который представляет собой гибрид полевого и биполярного транзистора. Данное сочетание привело к тому, что он унаследовал положительные качества, как полевого транзистора, так и биполярного.